雖然臺(tái)積電3nm芯片已經(jīng)量產(chǎn)，但截止昨天，我們都沒有看到芯片公司發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。到了今天，這個(gè)局面終于被打破了。

美國芯片公司Marvell表示，公司基于臺(tái)積電 3 納米 (3nm) 工藝打造的數(shù)據(jù)中心芯片正式發(fā)布。

據(jù)Marvell介紹，公司在該節(jié)點(diǎn)中的業(yè)界首創(chuàng)硅構(gòu)建模塊包括 112G XSR SerDes（串行器/解串行器）、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片到芯片互連。

按照Marvell所說，SerDes 和并行互連在芯片中充當(dāng)高速通道，用于在chiplet內(nèi)部的芯片或硅組件之間交換數(shù)據(jù)。與 2.5D 和 3D 封裝一起，這些技術(shù)將消除系統(tǒng)級(jí)瓶頸，以推進(jìn)最復(fù)雜的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)。

SerDes 還有助于減少引腳、走線和電路板空間，從而降低成本。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的機(jī)架可能包含數(shù)以萬計(jì)的 SerDes 鏈路。

根據(jù)他們提供的數(shù)據(jù)，新的并行芯片到芯片互連可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 240 Tbps 的聚合數(shù)據(jù)傳輸，比多芯片封裝應(yīng)用的可用替代方案快 45%。

換句話說，互連傳輸速率相當(dāng)于每秒下載 10,000 部高清電影，盡管距離只有幾毫米或更短。

Marvell 將其 SerDes 和互連技術(shù)整合到其旗艦硅解決方案中，包括Teralynx開關(guān)_,PAM4和相干DSP,Alaska 以太網(wǎng)物理層 (PHY)設(shè)備，OCTEON處理器_,Bravera存儲(chǔ)控制器,Brightlane汽車以太網(wǎng)芯片組和定制 ASIC。

而轉(zhuǎn)向 3nm 工藝使工程師能夠降低芯片和計(jì)算系統(tǒng)的成本和功耗，同時(shí)保持信號(hào)完整性和性能。

3nm，臺(tái)積電的新里程碑

據(jù)臺(tái)積電介紹，公司的3奈米（N3）制程技術(shù)將是5奈米（N5）制程技術(shù)之后的另一個(gè)全世代制程，在N3制程技術(shù)推出時(shí)將會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的制程技術(shù)，具備最佳的PPA及電晶體技術(shù)。

相較于N5制程技術(shù)，N3制程技術(shù)的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

不過，N3 的工藝窗口（產(chǎn)生定義結(jié)果的參數(shù)范圍）相對(duì)較窄，就產(chǎn)量而言可能并不適合所有應(yīng)用。而且，隨著制造工藝變得越來越復(fù)雜，它們的尋路、研究和開發(fā)時(shí)間也越來越長，所以我們不再看到臺(tái)積電和其他代工廠每兩年出現(xiàn)一個(gè)全新的節(jié)點(diǎn)。

對(duì)于 N3，臺(tái)積電的新節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入周期將延長至 2.5 年左右。這意味著臺(tái)積電將需要提供 N3 的增強(qiáng)版本，以滿足其客戶的需求，這些客戶仍在尋求每瓦性能的改進(jìn)以及每年左右晶體管密度的提升。

在2022 年技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電也討論了四種 N3 衍生制造工藝（總共五個(gè) 3 納米級(jí)節(jié)點(diǎn)）——N3E、N3P、N3S 和 N3X——這都將在未來幾年推出。

這些 N3 變體旨在為超高性能應(yīng)用提供改進(jìn)的工藝窗口、更高的性能、更高的晶體管密度和增強(qiáng)的電壓。

其中N3E 提高了性能，降低了功耗，并增加了工藝窗口，從而提高了亮了。但代價(jià)是該節(jié)點(diǎn)的邏輯密度略有降低。

與 N5 相比，N3E 的功耗將降低 34%（在相同的速度和復(fù)雜度下）或 18% 的性能提升（在相同的功率和復(fù)雜度下），并將邏輯晶體管密度提高 1.6 倍。

根據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電將在 2024 年左右的某個(gè)時(shí)候推出 N3P（其制造工藝的性能增強(qiáng)版本）以及 N3S（該節(jié)點(diǎn)的密度增強(qiáng)版本）。

但臺(tái)積電目前并未透露這些變體的更多信息。對(duì)于那些無論功耗和成本都需要超高性能的客戶，臺(tái)積電將提供N3X，本質(zhì)上是N4X的思想繼承者。同樣，臺(tái)積電沒有透露有關(guān)該節(jié)點(diǎn)的詳細(xì)信息，只是說它將支持高驅(qū)動(dòng)電流和電壓。

值得一提的是，臺(tái)積電所有這些技術(shù)都將支持 FinFlex，這是臺(tái)積電的一項(xiàng)“秘方”功能，可大大提高設(shè)計(jì)靈活性，并允許芯片設(shè)計(jì)人員精確優(yōu)化性能、功耗和成本。簡而言之，F(xiàn)inFlex 允許芯片設(shè)計(jì)人員精確定制他們的構(gòu)建模塊，以實(shí)現(xiàn)更高的性能、更高的密度和更低的功耗。

在實(shí)際應(yīng)用中，臺(tái)積電的 FinFlex 技術(shù)將允許芯片設(shè)計(jì)人員在一個(gè)塊內(nèi)混合和匹配不同類型的標(biāo)準(zhǔn)單元，以精確定制性能、功耗和面積。對(duì)于像 CPU 核心這樣的復(fù)雜結(jié)構(gòu)，這種優(yōu)化提供了很多機(jī)會(huì)來提高核心性能，同時(shí)仍然優(yōu)化芯片尺寸。

但是，我們必須強(qiáng)調(diào)的是，F(xiàn)inFlex 不能替代節(jié)點(diǎn)專業(yè)化（性能、密度、電壓），因?yàn)楣に嚰夹g(shù)比單一工藝技術(shù)中的庫或晶體管結(jié)構(gòu)有更大的差異，但 FinFlex 看起來是優(yōu)化性能、功率和成本的好方法臺(tái)積電的N3節(jié)點(diǎn)。最終，這項(xiàng)技術(shù)將使基于 FinFET 的節(jié)點(diǎn)的靈活性更接近于基于納米片/GAAFET 的節(jié)點(diǎn)，這些節(jié)點(diǎn)將提供可調(diào)節(jié)的通道寬度以獲得更高的性能或降低功耗。

三星3nm，起了個(gè)大早

其實(shí)早在臺(tái)積電公布3nm量產(chǎn)之前，三星早就宣布已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm工藝的量產(chǎn)。

2022年六月，三星宣布已開始了采用環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的 3 納米 (nm) 工藝節(jié)點(diǎn)的初始生產(chǎn)。

其中用到的多橋通道 FET (MBCFET  ) 是三星首次采用的 GAA 技術(shù)，該工藝突破了 FinFET 的性能限制，通過降低電源電壓水平提高功率效率，同時(shí)還通過增加驅(qū)動(dòng)電流能力提高性能。

該公司也正在開始將納米片晶體管與半導(dǎo)體芯片一起用于高性能、低功耗計(jì)算應(yīng)用，并計(jì)劃擴(kuò)展到移動(dòng)處理器。

三星表示，借助公司專有技術(shù)利用具有更寬通道的納米片，與使用具有更窄通道的納米線的 GAA 技術(shù)相比，可實(shí)現(xiàn)更高的性能和更高的能效。

利用 3nm GAA 技術(shù)，三星將能夠調(diào)整納米片的通道寬度，以優(yōu)化功耗和性能，以滿足各種客戶需求。

此外，GAA 的設(shè)計(jì)靈活性非常有利于設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO)，這有助于提高功率、性能、面積 (PPA) 優(yōu)勢。

與5nm工藝相比，第一代3nm工藝相比5nm功耗最高可降低45%，性能提升23%，面積減少16%，而第二代3nm工藝則功耗最高可降低50%，性能提高 30%，面積減少 35%。

如上所述，和臺(tái)積電的工藝不一樣，三星3nm采用了GAA晶體管，這開啟了一個(gè)新時(shí)代。

自 2019 年他們最初宣布該技術(shù)以來，三星一直致力于 3nm/GAAFET 技術(shù)的研發(fā)。三星特有的 GAA 晶體管技術(shù)是多橋通道 FET (MBCFET)，這是一種基于納米片的實(shí)現(xiàn)。

基于納米片的 FET 高度可定制，納米片的寬度是定義功率和性能特征的關(guān)鍵指標(biāo)：寬度越大，性能越好（在更高功率下）。因此，專注于低功耗的晶體管設(shè)計(jì)可以使用更小的納米片，而需要更高性能的邏輯可以使用更寬的納米片。

在三星3nm被發(fā)布早期，業(yè)內(nèi)人士一直在詬病其良率，但據(jù)業(yè)內(nèi)人士在今年一月透露，三星電子公司周一大幅提高了其為無晶圓廠客戶生產(chǎn)的業(yè)界最先進(jìn)的 3 納米芯片的良率。

知情人士表示，三星的第一代 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)良率達(dá)到了“完美水平”，但他沒有進(jìn)一步詳細(xì)說明。

而在此前，臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電的3納米工藝生產(chǎn)良率高達(dá)85%，高于三星。但韓國業(yè)內(nèi)消息人士淡化了這份報(bào)告，稱這個(gè)數(shù)字似乎被夸大了。

他們表示，考慮到臺(tái)積電向蘋果提供業(yè)界最小芯片的量產(chǎn)和交付時(shí)間表，其生產(chǎn)良率最多為50%。

按照媒體所說，因?yàn)樵诘谝淮?nm上折戟，三星正在大力投入到第二代工藝的研發(fā)中。

報(bào)告披露，三星第二代3nm GAA 工藝將會(huì)在2024年量產(chǎn)，工藝將加入MBCFET 架構(gòu)，性能也將提升不少。

雖然三星并沒有分享4nm 節(jié)點(diǎn)的統(tǒng)計(jì)差異，但與該公司5nm 工藝相比，第二代3nm GAA 仍有望降低多達(dá)50% 的功耗、提升30% 性能、以及減少35% 的晶片面積占用。

巨頭會(huì)師2納米，決戰(zhàn)

雖然三星和臺(tái)積電都在3nm上花了不少心思，但從過去的新聞和廠商的公告可以看到，似乎大家都對(duì)第一代的3nm工藝不感興趣。例如市場上一度傳言，蘋果會(huì)成為臺(tái)積電第一代3nm工藝的唯一客戶。不過，這家美國巨頭迄今都沒有公布其3nm產(chǎn)品。

由此可見，第一代3nm不被看好是業(yè)界共識(shí)了。但市場對(duì)工藝的追逐從目前看來，尚未停止。除了這兩家晶圓代工廠以外，據(jù)報(bào)道，英特爾也將在2023年年底推出其 3nm 工藝節(jié)點(diǎn)。而他們似乎也把目光定在了2nm。

屆時(shí)，英特爾的Intel 20A（2nm）將迎來Angstrom時(shí)代，利用GAA（RibbonFET）晶體管和PowerVia技術(shù)提高功率保持能力。

英特爾的競爭對(duì)手臺(tái)積電將在 2025 年采用其2nm 節(jié)點(diǎn)的 GAA ，在芯片制造商遇到小型化極限時(shí)讓前者領(lǐng)先一步。再加上將于2025 年實(shí)現(xiàn) 2 納米原型線的日本新創(chuàng)企業(yè)Rapidus 和三星。

對(duì)芯片公司而言，如何面對(duì)芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和成本挑戰(zhàn)，會(huì)是未來他們未來多年的頭等大事。