近日，汽車芯片龍頭企業(yè)英飛凌宣布，以8.3億美元收購氮化鎵功率半導體制造商GaN Systems，意在加強其氮化鎵產(chǎn)品組合，進一步鞏固英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的地位。目前，雙方已簽署最終協(xié)議。

隨著AI、5G通信、新能源汽車等技術(shù)的發(fā)展，對于智能終端快速充電提出了更高要求，需要采用新型半導體器件以提升快充效率，減小快充體積。氮化鎵作為一種寬禁帶材料，在速度、效率、耐高溫等方面均優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件，在功率系統(tǒng)領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。

市調(diào)組織Yole預計，到2027年，氮化鎵功率器件市場規(guī)模有望達到20億美元，而2021年僅為1.26億美元。目前，消費電子領(lǐng)域是氮化鎵應用的主要驅(qū)動力。該機構(gòu)預測功率氮化鎵在消費電子市場的需求將從2021年的7960萬美元增長到2027年的9.647億美元，復合年增長率為52%。

據(jù)了解，GaN Systems是專注于氮化鎵功率半導體廠商，可以滿足包括消費電子、數(shù)據(jù)中心服務器、電源、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電機和汽車電子等領(lǐng)域的產(chǎn)品需求。

英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)的突破正在為節(jié)能減碳提供全新的解決方案。氮化鎵技術(shù)在移動充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應用中的采用正處于峰值，市場增長迅猛。收購GaN Svstems將顯著加速英飛凌的氮化鎵技術(shù)路線圖?！?/p>