16年10月份，三星宣布正式量產(chǎn)10nm制程的芯片。在Intel還停留在14nm制程的時候，在臺積電還在為7nm制程為難的時候，三星是目前第一個能夠量產(chǎn)10nm制程芯片的廠商。

按照三星的解釋，相比14nm制程，10nm制程制造的芯片性能提升27%，同時功耗降低40%，并且10nm制程允許每個晶圓多制造30%的芯片。但是Intel對此表示很不屑，他們表示自身的10nm制程標準是“1平方毫米中塞下1億個晶體管、鰭片間距做到34nm，最小金屬間距則做到36nm”。而三星生產(chǎn)的驍龍835芯片，面積約為153平方毫米，集成了30億個晶體管。由此可見，三星的10nm制程標準確實比不上Intel的標準。但要說的是英特爾這標準是還在PPT上嗎？還是在夢里，據(jù)報道第八代英特爾處理器將繼續(xù)沿用已經(jīng)用了三代的14nm工藝。

不過好在第二代10nm LPP工藝的量產(chǎn)難題已經(jīng)被攻克，三星已經(jīng)開始在韓國漢城的S3生產(chǎn)線上部署相關(guān)設(shè)備。這意味著最早下半年我們就能夠見到量產(chǎn)的改進版驍龍835。改進版835很可能會被命名為驍龍836，類似于去年的驍龍821。雖然與驍龍835處理器同屬于10nm制程，但是LPP比起LPE的性能可是要高上不少。例如驍龍821比起驍龍820：驍龍820的CPU大核主頻2.2GHz、小核主頻1.6GHz，GPU主頻624MHz；驍龍821的CPU大核主頻2.4GHz、小核主頻2GHz，GPU主頻650MHz。也就是說，驍龍821的CPU性能提升10%，而GPU的提升為5%。

除了已經(jīng)可以量產(chǎn)的10nm LPP工藝，三星還在研究第三代10nmLPU工藝。相比起年底就能上市的改進版驍龍835，第三代LPU版驍龍835預(yù)計要到明年才能進入量產(chǎn)階段。不論如何，現(xiàn)階段的驍龍835旗艦機還沒拿到手，就在昨天小米發(fā)布了搭載滿血版835處理器的小米6，這下還沒等到耍猴大戲開始，昨天的滿血今天就被三星第二代10nm工藝打臉了。