［釘科技綜合消息］三星旗艦手機(jī)的運(yùn)行內(nèi)存，常常受到一些“小抱怨”，比如今年三星的S系列和Note系列都只有4GB的運(yùn)行內(nèi)存，只在國(guó)行版配備了6GB運(yùn)行內(nèi)存。不過，這種局面或許有望改善。近期，有消息稱三星Galaxy S8將會(huì)采用8GB運(yùn)行內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片。

傳言似乎有所依據(jù)。三星在今年10月份發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。也就是說，三星S8使用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，在技術(shù)上已經(jīng)沒有阻礙。

另有消息稱三星Galaxy S8將推出兩個(gè)版本，且都將采用雙曲面屏，屏幕尺寸分別調(diào)整至5.7英寸和6.2英寸。除此之外，S8將采用無邊框設(shè)計(jì)，移除底部的Home按鈕來提升屏占比，將3.5mm耳機(jī)接口改為Type-C接口。處理器方面，考慮到高通下一代旗艦高通驍龍835是與三星合作研發(fā)，S8應(yīng)該會(huì)首發(fā)驍龍835。