【釘科技訊】上周高通公司公布旗下最新的移動處理器驍龍835，采用10納米FinFET制作工藝的驍龍835處理器比上代14納米FinFET工藝相比，芯片尺寸減少30%尺寸，但性能卻提升27%，功耗降低40%。并且驍龍835還搭載了最新的QC4.0技術(shù)能在大約15分鐘或更短時間內(nèi)，充入高達 50%的電池電量。但是關(guān)于這個處理器的詳細規(guī)格卻沒有說明。

而現(xiàn)在已經(jīng)有網(wǎng)友在微博上曝光了關(guān)于驍龍835的更多參數(shù)細節(jié)。

從驍龍835的編號為MSM8998，而之前的驍龍820和驍龍821的版本號分別為MSM8996和MSM8996 Pro，將會采用升級版64位自主架構(gòu)Kyro 200，并且是四大、四小的八核設(shè)計，但具體頻率不詳。

集成GPU核心升級為Adreno 540，基帶則是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理論下載速度高達1Gbps，上傳也有150Mbps。

另外，驍龍835還會支持四通道LPDDR4X-1866內(nèi)存、UFS 2.1存儲。

不僅如此，這次捎帶著連驍龍660也被曝光了。驍龍660代號為MSM8976Plus，采用八核14nm LPP制程，支持最高2K分辨率，疑似是驍龍653的替代者。