【釘科技訊】11月17日，高通公司宣布將與三星電子合作共同開發(fā)下一代驍龍835處理器，該處理器將采用三星10納米制程工藝打造，同時(shí)支持Quick Charge 4.0快充技術(shù)。

高通方面表示，由于采用全新的10納米制程工藝，驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動(dòng)設(shè)備的用戶體驗(yàn)。

據(jù)悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產(chǎn)，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的芯片尺寸，同時(shí)提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進(jìn)一步優(yōu)化移動(dòng)設(shè)備的機(jī)身內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如增加電池或是實(shí)現(xiàn)更輕薄的設(shè)計(jì)等等。此外，制程工藝的提升也會(huì)改善電池續(xù)航能力。

目前驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)搭載驍龍835處理器的設(shè)備將會(huì)在2017年上半年陸續(xù)出貨，三星S8有望首發(fā)。

當(dāng)然，目前驍龍835的詳細(xì)規(guī)格與性能還無從知曉，不過高通發(fā)布的Quick Charge 4.0快充技術(shù)還是給人不小的驚喜。

QC 4.0將會(huì)在前幾代方案的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機(jī)使用時(shí)長5小時(shí)，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對(duì)USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，適配范圍更廣泛。

值得一提的是，高通還強(qiáng)調(diào)QC 4.0使用了智能協(xié)商最佳電壓（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法和熱管理技術(shù)。該技術(shù)的最大特點(diǎn)在于，通過智能管理設(shè)備的充電電量，能有效防止過熱問題，從而大大減少充電時(shí)爆炸的風(fēng)險(xiǎn)，怎么看怎么像是為三星量身定做的一樣。

隨著驍龍835的即將問世，手機(jī)芯片也將全面迎來10nm制程的時(shí)代。