三星量產(chǎn)8GB LPDDR4芯片,手機內(nèi)存直追PC
2016-10-21 11:10:55
來源:釘科技??
作者:于樹林
【釘科技訊】作為橫跨多行業(yè)的巨頭,三星雖然在手機業(yè)務(wù)上遭遇了點挫敗,但是半導體方面依然給力。日前,三星官方宣布,業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM芯片開始量產(chǎn),基于10nm技術(shù)打造。
在技術(shù)參數(shù)上,三星這款8GB的LPDDR4內(nèi)存芯片采用了10nm工藝制造,數(shù)據(jù)傳輸速度則高達4266Mbps,比目前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps要快兩倍。若按照64bit位寬,每秒可傳輸34GB的數(shù)據(jù)。
這款內(nèi)存芯片由四顆最新16Gb顆粒封裝在一起,尺寸則小于15mmx15mmx1.0mm,為滿足了超薄移動設(shè)備的空間需求而生,而且還可以實現(xiàn)和UFS芯片或處理器封裝堆疊在一起,實現(xiàn)與20nm級4GB相似的封裝面積(立體三圍15mm×15mm×1.0mm)和功耗。
三星方面則表示8GB LPDDR4內(nèi)存將會應(yīng)用到高性能移動設(shè)備和超薄筆記本上,讓移動設(shè)備實現(xiàn)更流暢的虛擬機運行、4K視頻回放等。
而最有可能首搭該內(nèi)存的,就是三星的下代旗艦S8了,目前外媒得到的消息顯示,S8所配備的驍龍830將采用三星10nm工藝,擁有八個核心。這里面包括四個Kryo架構(gòu)大核心、四個小核心,最高頻率為2.6GHz。如此一來,再搭配上自家的8GB LPDDR4 DRAM內(nèi)存,S8很有可能會上演一出驚天大翻盤。
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