10月17日，三星電子發(fā)布消息稱，將正式投產(chǎn)10nm制程工藝芯片。 業(yè)內(nèi)人士指出，這將使三星成為業(yè)內(nèi)首個生產(chǎn)10nm制程工藝芯片的廠商。 釘科技了解到，三星的10nm FinFET采用先進(jìn)的3D晶體管結(jié)構(gòu)及設(shè)計，據(jù)稱相比于此前的14nm FinFET，其面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。三星方面表示，為了克服比例限制，10nm FinFET的依舊延續(xù)了之前的三重切削邊緣技術(shù)，以保證節(jié)點雙向鏈路的靈活性。 釘科技還了解到，目前三星10nm工藝被稱為10LPE，也就是早期低功耗版本，而后續(xù)的10nm LPP將于明年下半年量產(chǎn)，可用于更高性能的芯片。 另據(jù)釘科技（微信公號dingkeji2015）了解，明年初，三星10nm FinFET芯片有望應(yīng)用到數(shù)碼產(chǎn)品上。