【釘科技訊】日前，在加州舉行的閃存峰會(huì)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片，該芯片與目前手機(jī)上使用的 2D NAND 相比，存儲(chǔ)密度大幅提高，即在相同體積下，可以存儲(chǔ)更大量的信息。

與 2D NAND 的平鋪式排布存儲(chǔ)單元不同，3D NAND 采用垂直的方式立體排布存儲(chǔ)單元，類似于處理器的Finfet結(jié)構(gòu)，可以使得存儲(chǔ)單元大大增加，并且因?yàn)榇鎯?chǔ)單元排列方式的改變，其芯片間的通訊速度也變得更加快速、高效。

該產(chǎn)品還使用全新的 UFS2.1 標(biāo)準(zhǔn)，UFS2.1其實(shí)就是HS-G3，讀取速度達(dá)到1.5GB/s，寫(xiě)入接近500MB/s，是目前UFS 2.0的2倍。而目前手機(jī)領(lǐng)域最快的閃存也只是采用了UFS 2.0而已，包括剛剛誕生的三星Note 7。鎂光公司認(rèn)為智能手機(jī)對(duì)內(nèi)存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用和流媒體都將占用大量的儲(chǔ)存空間。他們表示，在幾年之內(nèi)智能手機(jī)的內(nèi)存容量可能會(huì)達(dá)到如今 PC 的水平，具體來(lái)說(shuō)，大概在 2020 年就會(huì)觸及 1TB。

不過(guò)，在固態(tài)硬盤領(lǐng)域，3D NAND 閃存芯片技術(shù)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用了，只是鎂光是全球第一個(gè)基于UFS2.1存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)3D-NAND解決方案，這對(duì)手機(jī)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)可謂意義非凡。