一個國際團隊研發(fā)出一種新奇技術(shù)，他們將高性能磁性存儲芯片移植到一塊柔性塑料表面，且無損其性能，得到的透明薄膜狀柔性“智能塑料”芯片有優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲和處理能力，有望成為柔性輕質(zhì)設(shè)備設(shè)計和研制的關(guān)鍵元件。

據(jù)每日科學網(wǎng)19日報道，在最新研究中，科學家首先將氧化鎂基磁性隧道結(jié)（MTJ）種植在一個硅表面，接著蝕刻掉下面的硅，隨后使用一種轉(zhuǎn)印方法，在一個由聚對苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面，植入了一個磁性存儲芯片。

新設(shè)備在磁阻式隨機存取存儲器（MRAM）上的操作表明，MRAM的性能在很多方面強于傳統(tǒng)隨機存取存儲器計算機芯片，比如，處理速度更高、能耗更低、可在斷電后存儲數(shù)據(jù)等。

柔性電子設(shè)備尤以柔性磁存儲設(shè)備最吸睛，因為它們是可穿戴電子和生物醫(yī)學設(shè)備進行數(shù)據(jù)存儲和處理的關(guān)鍵部件。盡管科學家已在不同存儲芯片和材料上進行了多項研究，但在柔性基座上構(gòu)造高性能存儲芯片而無損其性能仍面臨巨大挑戰(zhàn)。為此，新加坡國立大學副教授楊賢秀（音譯）領(lǐng)導韓國延世大學、比利時根特大學、新加坡材料研究和工程研究所的科學家研發(fā)出了這種新技術(shù)。

楊賢秀表示：“我們是首個在柔性表面構(gòu)造磁性存儲器的團隊。實驗證明，新設(shè)備的隧道磁電阻能達到300%，同時，我們也設(shè)法提升了對開關(guān)的控制能力，從而使這一柔性磁芯片能更快地傳輸數(shù)據(jù)?！?/p>

該團隊最近在美國和韓國為這項技術(shù)申請了專利，他們正在進一步提升該設(shè)備的磁阻，并計劃將其應用于其他電子設(shè)備。

相關(guān)研究發(fā)表在最新一期《先進材料》雜志上。

（原標題：首個塑料柔性磁存儲芯片問世）